IWATSU CS-3300 功率半导体参数分析3000V@1000A JEDEC曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-3300 原产地:日本 所属类别:半导体曲线图示仪
产品简介:适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的静态参数特性测量,最大峰值电压3,000V(高电压模式),最大峰值电流1000A(CS-3300大电流模式),所有机型均搭载LEAKAGE模式(光标分辨率1pA),可执行图像数据保存和设置数据保存的USB端口,搭载远程控制专用的LAN接口
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IWATSU CS-3300 功率半导体参数分析3000V@1000A JEDEC曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-3300 原产地:日本 所属类别:半导体曲线图示仪
产品简介:适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的静态参数特性测量,最大峰值电压3,000V(高电压模式),最大峰值电流1000A(CS-3300大电流模式),所有机型均搭载LEAKAGE模式(光标分辨率1pA),可执行图像数据保存和设置数据保存的USB端口,搭载远程控制专用的LAN接口
IWATSU CS-3200 功率半导体参数分析3000V@400A JEDEC曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-3200 原产地:日本 所属类别:半导体曲线图示仪
产品简介:适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的静态参数特性测量,最大峰值电压3,000V(高电压模式),最大峰值电流400A(CS-3200大电流模式),所有机型均搭载LEAKAGE模式(光标分辨率1pA),可执行图像数据保存和设置数据保存的USB端口,搭载远程控制专用的LAN接口
IWATSU CS-8000 半导体参数分析仪CS-8500 曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-8500 原产地: 所属类别:半导体曲线图示仪
产品简介:可与多种单元组合,支持任何工序的特性评估,适用于下一代的半导体测量。搭载最大电压5kV、最大电流2kA,备有脉冲输出、门极模式、微电流测量功能,大力支持Sic、GaN等宽禁带半导体的设计评估。
N4L PSM3750 频率响应分析仪10μHz–50MHz隔离输入 (500Vpk)
产品型号:PSM3750 原产地:UK 所属类别:频率特性分析仪
产品简介:PSM3750 以 PSM2200 和 PSM17xx 系列频率响应分析仪系列的成功为基础,并结合了从功率分析仪系列隔离输入通道的设计和开发中获得的经验,以便为高电压、高精度、隔离增益和相位测量提供解决方案。PSM3750采用创新设计,在500Vpk电隔离输入/输出通道内结合了直接数字分析和外差技术,在比当今任何其他仪器更宽的频率...
N4L PSM1735 – 10uHz 至 35MHz 频率响应分析仪
产品型号:PSM1735 原产地:UK 所属类别:频率特性分析仪
产品简介:PSM1735采用创新设计,结合了直接数字分析和外差技术,在比当今任何其他仪器更宽的频率范围内提供广泛的测量功能。该产品的典型应用包括开关模式电源反馈环路分析、滤波器测试和设计、LVDT测试、绕线组件的扫描频率响应分析等等。与其他N4L产品一样,PSM1735 NumetriQ利用最新的DSP和FPGA技术来优化其模拟硬件的使用,...
N4L PSM1700 Frequency Response Analyzer牛顿环路频率响应分析仪
产品型号:PSM1700 原产地:UK 所属类别:频率特性分析仪
产品简介:PSM1700 PsimetriQ是一款全面的DFT和真有效值分析仪器,适用于研发和生产测试应用。专门针对范围增益/相位分析应用,其中包括开关模式电源反馈环路稳定性分析和滤波器的一般频率响应分析。它具有清晰,明亮的图形显示,显示实时值或图形或表格。它可以完全通过RS232或LAN作为选项进行远程控制来操作。当与IAI(阻抗分析...
TEKTRONIX 4200-SCS KEITHLEY 半导体参数分析仪
产品型号:4200-SCS 原产地:美国 所属类别:半导体曲线图示仪
产品简介:美国吉时利KEITHLEY参数分析仪4200-SCS是一款能进行器件、材料或过程电气特性分析的模块化全集成参数分析仪。利用9个测量槽和内置低噪声接地单元,您可以根据测试要求或预算限制进行精密配置。
KEYSIGHT B1505A 10KV-1500A 是德功率半导体参数分析仪 Qg
产品型号:B1505A 原产地:美国 所属类别:半导体曲线图示仪
产品简介:Agilent B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是一款适合功率器件测试的综合解决方案,具有 sub-pA 至 10 kV/1500 A 的宽测量范围,并可提供精密的 µÙ 导通测量功能。此外,其 10 µs 快速脉冲功能能够执行完整的功率器件表征,并对新功率器件(例如 IGBT )和宽带隙材料(例如,碳化硅(SiC)和氮化镓(G...