MOSFET结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss
2022-08-17 518
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss 结电容”的定义适用于所有的FET,并不局限于VMOS,也适用于所有的VMOS晶体管,只是测定方法与标识方法有差异。而且图3 12中的表示方法也是近似的,实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电...
MOSFET结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss
2022-08-17 518
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss 结电容”的定义适用于所有的FET,并不局限于VMOS,也适用于所有的VMOS晶体管,只是测定方法与标识方法有差异。而且图3 12中的表示方法也是近似的,实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电...
功率半导体IGBT/MOSFET应用中栅极电阻Rg的作用及选配指南
2022-05-17 125
栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高,从而产生较大的干扰,严重的将使整个装置无法工作,因此必须统筹兼顾。
开关电源的增益裕度与相位裕度的关系
2021-10-14 484
摘要:众所周知,任何闭环系统在增益为单位增益1 稳定性指标 衡量开关电源稳定性的指标是相位裕度和增益裕度。相位裕度是指:增益降到0dB时所对应的相位。增益裕度是指:相位为零时所对应的增益大小(实际是衰减)。在实际设计开关电源时,只在设计...
N4L FRA(Frequency Response Analyzer) 的基本原理与应用场景是什么?
2021-05-30 147
What is a Frequency Response Analyzer?A Frequency Response Analyzer (FRA) is a high precision measurement instrument used to analyze components, circuits and systems (known as devices under test, or DUT’s) in the frequency domain
探针台应用知识之 悬臂探针卡与垂直探针卡使用情况
2021-05-29 361
随着半导体制成的快速进展,传统探针卡已面临测试极限,为满足高积密度测试,应运而生的MEMs半导体晶圆制程探针解决方案,正成为半导体高端测试方案领域的主流应用,特别是随着300mm晶圆检查用MEMS探针卡应用于NAND型闪存中,而FormFactor称其在该...
芯片测试的CP\FT\WAT 是怎么回事?
2021-05-29 1031
为什么要进行芯片测试?整理:长沙力高捷创仪器有限公司芯片测试是一个比较大的问题,直接贯穿整个芯片设计与量产的过程中。首先芯片fail可以是下面几个方面:功能fail,某个功能点点没有实现,这往往是设计上导致的,通常是在设计阶段前仿真来对功...