宽禁带器件--SiC碳化硅功率器件静态性能测试
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程,满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求,大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV,导通电流达到数KA ,其开关时间因为宽禁
宽禁带器件--SiC碳化硅功率器件静态性能测试
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程,满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求,大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV,导通电流达到数KA ,其开关时间因为宽禁
Piezo压电超声材料-器件-电机研究
Piezo压电,超声
宽禁带器件--SiC碳化硅双脉冲开关动态性能测试
Power Electronic Device 功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件,评价IGBT的一项比较重要且被工程师们大量采用的测试—双脉冲测试(Double Pulse Test)
高能激光装备制造与研究
High energy lasers
特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量
产品描述:针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性,以及操作环境相对恶劣的情况,为用户提供多种方案的测试前端
高频磁损-高频软磁材料及电感器件损耗B-H分析
如何正确的评价不同材料磁芯满足高频与大电流应用的场景,IWATSU B-H 分析仪系统就是全球此领域最权威,应用范围最广的软磁材料高频交流BH特性测试仪。