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WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价

随着电网直流高压输变电,电动汽车的快速进步,电能转换领域非常重要的核心器件,SiC MOSFET等大功率半导体器件的正确评估与参数标定成为芯片开发,器件或模块研发,品质检查,第三方认证,失效分析等几乎所有流程的关键问题,几乎都需要对器件的静态耐压,漏电,导通压降,Rds(ON), I-V曲线,饱和导通电流等进行评价。

功率器件静态参数是评价器件性能最关键,也是最基础的流程,输出能够满足宽禁带器件测试的高电压与大电流,是对仪器的刚需,SiCMOSFET通常击穿电压达到数KV,漏电电流为nA甚至pA级;但同时导通电流达到数KA ,导通压降为3V以内,这对于仪器的精度,可靠性,稳定性,安全性都提出了严苛的要求。

力高捷创仪器可以提供集成了最新一代功率半导体参数分析仪的CS-8000温度变化下的SiC器件的静态参数评价器件级方案与晶圆级方案,该方案可以为前沿半导体研究提供全电压范围,最大测量电压达5KV ;全电流范围,最大测量电流达2000A 级,同时漏电分辨率达到fA级 ,提供新型TOLL、TOLG等封装器件夹具,丰富安全接口和保护装置,确保器件,人员,设备的可靠案例运行。

CREE 静态.jpeg

一、静态参数测量产品


IWATSU CS-8000系列产品

最大测量电压:5000V

最大测量电流: 2000A

最大微电流分辨率:250fA

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二、测量参数:

IV测量:

  • Vdss  源漏极最高阻断电压

  • Vge(th) 栅极阀值电压

  • Idss   源漏极漏电电流

  • Igss   栅极漏电

  • Vce(sat) : 饱和导通压降

  • Rds(ON) : 源漏极导通电阻

  • I-V曲线

  • 传输曲线

  • 温度条件下参数曲线

  • 反向恢复二极管正向压降 Vf

  • 反向恢复二极管反向漏电

CV测量:

晶体管输入电容Ciss

输出电容Coss

反向传输电容Crss



三、具体方案:


IWATSU CS-8000 Power device analyzer _catalog_20210611_01.jpg

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可选配TO-247-4,TOLL、TOLG、TO-263等封装Vamtek高精度测试夹具




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可集成不同尺寸不同系列的探针台以满足不同测试需求




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可选择可靠性测试方案(集成冷热冲击热流仪),或者EMMI方案(集成晶圆级无风温度变化台)

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