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第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、深圳第三代半导体研究院副理事长吴玲会上表示，第三代半导体满足国防安全、智能制造、产业升级、节能减排等国家重大战略需求。 在她看来，第三代半导体支撑着我国高频、高速、宽带通信系统核心器件的自主可控，支撑国家能源战略，支撑着高速列车、新能源汽车等核心动力系统的发展以及节能环保、国防安全军事装备的自主发展等。 吴玲表示，第三代半导体现已进入爆发式增长期，全球各国争相抢占战略制高点，在我国，第三代半导体早已受到政府层面的高度关注。 自2004年开始，我国政府就第三代半导体材料研究与开发进行了相应的部署，并启动了一系列的重大研究项目。 2016年我国启动“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，第三代半导体材料是重点专项中的重要研究领域。 随后在2016年国务院发布的面向2030的6项重大科技项目和9大重大工程中，第三代半导体是“重点新材料研发及应用”重大项目的重要部分。 2016年12月，国务院成立国家新材料产业发展领导小组，贯彻实施制造强国战略，加快推进新材料产业发展；2017年2月，国家新材料产业发展专家咨询委员会成立。 2017年6月，第三代半导体产业技术创新战略联盟组织编辑2030国家重点新材料研发及应用第三代半导体版块实施方案。 在国家政策推动下，江苏、浙江、厦门、江西等地已逐步发展成为第三代半导体产业特色集聚区，那么目前成效如何？据吴玲介绍，目前国内中低压电力电子材料和器件已初步量产，应用快速渗透。 SiC方面，天科合达、山东天岳、中电集团2所等初步实现4英寸SiC单晶衬底材料量产，并开发出6英寸样品；泰科天润、世纪金光、中电55所、13所等多家企业和机构已实现600-3300V的SiC肖特二极管量产，处于用户验证阶段；中车株洲时代电气、国家电网联研院、厦门三安等企业建设了6英寸SiC电力电子器件工艺线。 GaN方面，中电13所已形成系列化GaN微波功率器件和MMIC产品，并被华为、中兴用于进行基站研发；苏州纳维、东莞中镓具备2-4英寸GaN单晶衬底材料的供货能力；苏州能讯、苏州晶湛、江苏能华、杭州士兰微、江苏华功半导体均已进入布局GaN电力电子材料和器件；三安集团也已建设GaN射频器件工艺线。 根据发展目标，2018~2020年间，我国将完成第三代半导体的产业基础建设，进行产业链的完善、核心装备研发、核心工艺开发、开发基础器件并开始示范应用等。 整理：长沙力高捷创仪器有限公司宽禁带器件项目组 |
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