功率半导体的广泛使用迫切需要对功率器件进行快速而有效的特性描述。Cascade Microtech 的新型 Tesla 晶圆上功率器件特性描述系统满足了这一需求，从而缩短了新型功率器件的面市时间。Tesla 是业界首个功率器件测量系统，它提供了一款用于在高达 400A的电流和 3000V 的电压条件下进行功率半导体的过热、低接触电阻测量的完整晶圆上解决方案。该新系统采用了两款新型晶圆探针和一种全新的晶圆吸盘技术。

• 高电流参数（HCP）探针专为满足 Rds(on) 测量要求而设计。独特的设计最大限度地抑制了探针至晶圆触点上的热失控，并支持高达 10A（在连续模式中）和高达 60A（在脉动模式中）的电流。

• 高电压参数（HVP）探针在高达 3000V 的电压条件下实现了漏电流低至 1pA 的击穿电压测量。

• Exclusive Vacuchannel™ 吸盘技术运用针对薄晶圆（薄至 100μm）的先进传送方法满足了当今功率器件晶圆的需要。此外，Vacuchannel 技术传送功率耗散器件的方式也不同于市面上现有的其他解决方案，实现了功耗高达 75W 的器件的晶圆上测量。