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IWATSU CS-8000 半导体参数分析仪CS-8500 曲线图示仪 日本岩崎

产品型号：CS-8500      原产地：日本       所属类别：半导体参数分析仪

产品简介：可与多种单元组合，支持任何工序的特性评估，适用于下一代的半导体测量。搭载最大电压5kV、最大电流2kA，备有脉冲输出、门极模式、微电流测量功能，大力支持Sic、GaN等宽禁带半导体的设计评估。

IWATSU CS-5100，CS5200，CS5300，CS5400功率半导体I-V静态参数图示仪 日本岩崎

产品型号：CS-5100/5200/5300/5400      原产地：日本      所属类别：半导体参数分析仪

产品简介：用于测试IGBT,VDMOS等功率半导体的静态参数仪器，是目前市面上唯一一款能够全面替代TEKTRONIC 370系列图示仪的产品。

IWATSU CS-3300 功率半导体参数分析3000V@1000A JEDEC曲线图示仪 日本岩崎

产品型号：CS-3300      原产地：日本       所属类别：半导体参数分析仪

产品简介：适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的静态参数特性测量，最大峰值电压3,000V（高电压模式），最大峰值电流1000A（CS-3300大电流模式），所有机型均搭载LEAKAGE模式(测量分辨率1pA)，可执行图像数据保存和设置数据保存至USB端口，搭载远程控制专用的LAN接口

IWATSU SY-8264+SY-602 30Mhz 高频交流B-H分析仪

产品型号：SY-8264+SY-600 10Mhz 高频交流B-H分析仪      原产地：日本      所属类别：B-H分析仪

产品简介：SY-8264型B-H分析仪是2025年正式向全球市场销售的最新一代B-H分析仪，其性能指标完全覆盖原SY-8218，SY-8219系列产品，并在硬件，软件，架构等核心板块做了重大升级，以适应目前高频电力电子应用对高频磁性材料的损耗及磁参数的要求；SY-8264采用模块化架构，基本机架为10Hz~1Mhz; 客户可以通过配置SY-600系列不同规格...

IWATSU SY-8264+SY-601 20Mhz 高频交流B-H分析仪

产品型号：SY-8264+SY-600 10Mhz 高频交流B-H分析仪      原产地：日本      所属类别：B-H分析仪

产品简介：SY-8264型B-H分析仪是2025年正式向全球市场销售的最新一代B-H分析仪，其性能指标完全覆盖原SY-8218，SY-8219系列产品，并在硬件，软件，架构等核心板块做了重大升级，以适应目前高频电力电子应用对高频磁性材料的损耗及磁参数的要求；SY-8264采用模块化架构，基本机架为10Hz~1Mhz; 客户可以通过配置SY-600系列不同规格...

IWATSU SY-8264+SY-600 10Mhz 高频交流B-H分析仪替代停产SY-8218

产品型号：SY-8264+SY-600 10Mhz 高频交流B-H分析仪      原产地：日本      所属类别：B-H分析仪

产品简介：SY-8264型B-H分析仪是2025年正式向全球市场销售的最新一代B-H分析仪，其性能指标完全覆盖原SY-8218，SY-8219系列产品，并在硬件，软件，架构等核心板块做了重大升级，以适应目前高频电力电子应用对高频磁性材料的损耗及磁参数的要求；SY-8264采用模块化架构，基本机架为10Hz~1Mhz; 客户可以通过配置SY-600系列不同规格...

IWATSU SY-8218\SY-8219 岩崎软磁交流B-H磁芯损耗POWER LOSS分析仪

产品型号：SY-8219/SY-8218       原产地：日本      所属类别：B-H分析仪

产品简介：磁特性的磁通密度B（以T为单位），磁场强度H（为A/m为单位）采用普遍的X-Y轴，这里被描述的曲线称为B-H曲线。作为测量B-H曲线的方法，有直流的评估方法和交流的评估方法。 我司现有连贯交流的测量方法，是交流情况下测试磁材料的B-H曲线。此项功能受到许多用户的支持。因此，现在的交流B-H曲线示踪器被确定为“B-H分析仪”。

IWATSU SY-5001A高频双极性功率放大器 SY-8264 专用配套

产品型号：SY-8264+SY-600 10Mhz 高频交流B-H分析仪      原产地：日本      所属类别：B-H分析仪

产品简介：4-Quadrant Power Amplifier for use with IWATSU® SY-821x and SY-8264, DC – 5 MHz, ±150 V, ±6 A, 800 V/µs, GPIB-, USB- Interface