SiC device 插件式功率器件的封装形式
2023-06-29
384
SiC芯片是一种新型宽带隙电子器件材料,它是由硅和碳组成的复合材料,具有高热导率、高电导率、高绝缘强度和高耐压能力等优点。SiC芯片可以用于制造高功率、高效率的电子器件,如MOSFET,IGBT,JFET等功率电子器件。具有成本效益的大功率高温半导体...
SiC device 插件式功率器件的封装形式
2023-06-29
384
SiC芯片是一种新型宽带隙电子器件材料,它是由硅和碳组成的复合材料,具有高热导率、高电导率、高绝缘强度和高耐压能力等优点。SiC芯片可以用于制造高功率、高效率的电子器件,如MOSFET,IGBT,JFET等功率电子器件。具有成本效益的大功率高温半导体...
SiCMOSFET器件与碳化硅IGBT功率模块封装形式和工艺关键问题研究
2023-06-29
559
SiCMOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响,直接覆铜(DBC)的陶瓷基板中陶...
金属磁粉芯高频化应用于电动汽车等新型电力电子装置
2023-06-06
262
1 什么是软磁复合材料软磁复合材料(SMC)是一种新型磁性材料,又称磁粉芯,由软磁金属经过制粉、绝缘处理、粘结、压制、热处理制备而成,具有磁各向同性、高磁导率、低矫顽力、高居里温度以及低损耗等优点。软磁复合材料结合了金属和铁氧体软磁材...
软磁芯器件随宽禁带半导体功率器件向高频化、高功率、微型低损耗方向发展
2023-06-06
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一、高功率、高频化趋势下对磁性元件和软磁材料的要求1 1 第三代半导体功率器件呈现高频、高功率发展趋势大功率、高密度快充电源逐渐成为市场主要发展趋势,以硅材料为基础的各种电力电子 器件逐渐接近其理论极限值,难以在高压、高温、高频等特...
完全符合 IEC61000 EMC 测试系统(IEC61000-3-2、IEC61000-3-3、IEC61000-3-11、IEC61000-1000-4-13、IEC61000-4-17、IEC61000-4-29)3-12、IEC61000-4-11、IEC6
2022-11-27
510
完全符合 IEC61000 EMC 测试系统(IEC61000-3-2、IEC61000-3-3、IEC61000-3-11、IEC61000-3-12、IEC61000-4-11、IEC61000-4-13、IEC61000-4-17、IEC61000-4-29)
N4L PSM+IAI 系列阻抗分析仪进行精确的 LCR 测量 - 10uHz 至 50MHz
2022-11-27
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阻抗分析仪 LCR仪表精密阻抗分析仪 - 10uHz 至 50MHz快速比较完整的阻抗分析仪系列LCR 有源头阻抗分析包IAI 阻抗分析套件IAI2 阻抗分析套件TA107 跨阻放大器基本精度0 2%0 1%0 1%0 01分贝相位精度0 4540 4540 4540 454频率范围10uHz ~ 5MHz10uHz ~ 35MHz (PSM1700 -