SiC device 插件式功率器件的封装形式
 2023-06-29
2023-06-29 374
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SiC芯片是一种新型宽带隙电子器件材料,它是由硅和碳组成的复合材料,具有高热导率、高电导率、高绝缘强度和高耐压能力等优点。SiC芯片可以用于制造高功率、高效率的电子器件,如MOSFET,IGBT,JFET等功率电子器件。具有成本效益的大功率高温半导体...
 
                            SiC device 插件式功率器件的封装形式
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SiC芯片是一种新型宽带隙电子器件材料,它是由硅和碳组成的复合材料,具有高热导率、高电导率、高绝缘强度和高耐压能力等优点。SiC芯片可以用于制造高功率、高效率的电子器件,如MOSFET,IGBT,JFET等功率电子器件。具有成本效益的大功率高温半导体...
 
                            SiCMOSFET器件与碳化硅IGBT功率模块封装形式和工艺关键问题研究
 2023-06-29
2023-06-29 521
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SiCMOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响,直接覆铜(DBC)的陶瓷基板中陶...
 
                            金属磁粉芯高频化应用于电动汽车等新型电力电子装置
 2023-06-06
2023-06-06 246
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1 什么是软磁复合材料软磁复合材料(SMC)是一种新型磁性材料,又称磁粉芯,由软磁金属经过制粉、绝缘处理、粘结、压制、热处理制备而成,具有磁各向同性、高磁导率、低矫顽力、高居里温度以及低损耗等优点。软磁复合材料结合了金属和铁氧体软磁材...
 
                            软磁金属磁粉心(芯)材料的现状及前景展望
 2023-06-06
2023-06-06 470
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软磁金属磁粉心(芯)材料的现状及前景展望按化学成分,软磁材料分为金属软磁材料和铁氧体软磁材料,在铁氧体软磁材料出现以前均是金属及其合金如纯铁、坡莫合金、铁硅合金、铁硅铝合金等金属软磁材料,它们具有高μ、高Bs的特点,但电阻率低(约为...
 
                            软磁芯器件随宽禁带半导体功率器件向高频化、高功率、微型低损耗方向发展
 2023-06-06
2023-06-06 428
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一、高功率、高频化趋势下对磁性元件和软磁材料的要求1 1 第三代半导体功率器件呈现高频、高功率发展趋势大功率、高密度快充电源逐渐成为市场主要发展趋势,以硅材料为基础的各种电力电子 器件逐渐接近其理论极限值,难以在高压、高温、高频等特...
完全符合 IEC61000 EMC 测试系统(IEC61000-3-2、IEC61000-3-3、IEC61000-3-11、IEC61000-1000-4-13、IEC61000-4-17、IEC61000-4-29)3-12、IEC61000-4-11、IEC6
 2022-11-27
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完全符合 IEC61000 EMC 测试系统(IEC61000-3-2、IEC61000-3-3、IEC61000-3-11、IEC61000-3-12、IEC61000-4-11、IEC61000-4-13、IEC61000-4-17、IEC61000-4-29)