技术服务与解决方案

读懂 SiC MOSFET 数据手册（DATASHEET）系列②

2026-04-26 45

V (BR) DSS 是 SiC MOSFET 关断态下的雪崩耐压极限，由碳化硅 PN 结反向电场强度决定； SiC 独有正温度系数，175℃ 高温下耐压不降反升，是高温功率应用的天然优势；

用于SST固态变压器的3.3kV器件纷涌而至，其静态测试与1.2kV器件有何不同？

2026-04-17 25

固态变压器 SST除了目前大家都在谈的局放（局部放电）、绝缘之外，静态测试其实也与之前的1 2kV的车规等器件有很多不同之处

读懂 SiC MOSFET 数据手册（DATASHEET）系列①

2026-04-16 66

在功率器件设计、选型与方案评审中，SiC MOSFET datasheet 是工程师最核心、最依赖的技术文件。但面对动辄几十页的参数、曲线与说明，很多人往往只看几个关键数值，忽略了型号、特性、额定值背后的工程含义。本系列「读懂 SiC MOSFET DATASHE...

一体成型电感器用羰基铁粉（软磁粉末合金）性能特点与技术发展

2026-01-25 181

羰基铁是铁与一氧化碳反应生成的化合物，常见的有五羰基铁（简称羰基铁），其化学式是Fe(CO)5，1889年蒙德（Ludwig Mond）和兰格尔（Carl Langer）发现羰基镍以来[1]，1924年在德国真正开始工业化生产羰基铁粉产品。作为目前工业化生产的粒度最细...

源表选型指南

2025-12-21 87

一、何为源表，为何重要？源表是什么？源测量单元，通常简称为“源表”或SMU，是一种高度集成、精密可调的电子测试仪器。它本质上将三种核心设备的功能融为一体：精密电压源 电流源、高精度数字万用表以及电子负载。与传统分离的设备组合不同，SMU...

为什么要使用专用封装夹具进行测试

2025-11-29 36

在功率半导体（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）技术飞速发展的今天，器件的性能边界不断被推向新高——更高的开关频率、更高的功率密度、更严苛的可靠性要求。然而，一个常被忽视却至关重要的环节是：我们如何将待测器件接入测试系统？测试方法的...