技术咨询
留言反馈
WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁
快速联系>
Piezo，在压电材料表面施加压力可以产生电荷。这种 直接压电效应，也称发电机或传感器效应，将机械能转换为电能。 反之，施加一定电压时，逆压电效应 可以改变此类材料的长度。这种促动器效应将电能转换成机械能。 单晶材料和多晶铁电陶瓷中都可产生压电效应。在单晶中，晶格晶胞的不对称结构，即低于居里温度TC 时形成的极轴，是产生这种效应的充分必要条件。 此外，压电陶瓷具有自发极化特性，即晶胞的正负电荷浓度相互分离。同时，晶胞的轴线沿自发极化的方向延伸，产生自发应变。
压电器件，超声压电材料，超声压电电机等新型技术的开发研究，应用到工业化应用，我们需要使用专业的仪器对材料的
介电常数（高频阻抗分析仪）
频率特性（频率响应分析仪）
宽频高电压激励源（宽频高压功放+信号源）
精密信号测量（示波器+数字万用表）
寻找更多销售、技术和解决方案的信息？
联系我们 >
WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁
特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量
产品描述：针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性，以及操作环境相对恶劣的情况，为用户提供多种方案的测试前端
SiC/GaN 碳化硅双脉冲动态参数与动态内阻测试
Power Electronic Device 功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，评价IGBT的一项比较重要且被工程师们大量采用的测试—双脉冲测试(Double Pulse Test)
软磁材料及电感器件高频损耗与BH参数分析
如何正确的评价不同材料磁芯满足高频与大电流应用的场景，IWATSU B-H 分析仪系统就是全球此领域最权威，应用范围最广的软磁材料高频交流BH特性测试仪。
功率半导体Datasheet 常温与高温静态参数测量方案
功率器件静态参数的测量，可通过IWATSU CS-3000、IWATSU CS-5000和IWATSU CS-8000半导体曲线特性分析仪实现。支持测量器件的DC IV、Pul
IWATSU-CS3000/5000 系列半导体分析仪 栅极电荷(Qg)测试指南
作为电子测试工程师，精准测量功率器件的门极电荷(Qg)对优化开关电源设计和可靠性评估至关重要。本文将系统介绍如何使用 CS 半导体参数分析仪的测试方案完成这一关键测试。
晶圆级微电芯片-晶圆在片参数测试
产品描述：主要应用在半导体 微电子，电子，机电，物理，化学，材料，光电，纳米，微机电 MEMs，生物芯片，航空航天等科学研究领域，以及IC
电动汽车--电池-电驱-电机性能与可靠性测量
测试系统涵盖交流充电桩、直流充电桩（站）、车载充电机（OBC）、DC-DC、电池包、HCU、MCU、电气安规测试等测试内容，适用于电动汽车信号级和功率级测试
电话/TEL: 0731-85260926
传真/FAX : 0731-85263946
邮件/E-mail ：sales@jectronic.com
地址: 长沙市雨花区环保中路289号长沙屿中心 A3栋1015室
版权所有㊣ 长沙力高捷创仪器有限公司
Copyright Jectronic instruments ltd, All Rights Reserved
更多信息请关注企业微信
