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WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁
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软磁材料的磁损耗：电感作为储能和滤波元件，在电子设备中被广泛使用，随着科学技术的发展，电感器越来越趋于小型化，体积重量要求越来越严格，尤其在太阳能逆变器，风能逆变器，电动汽车用等电气设备中大量高频大电流滤波电感，由于其工作电流大，安匝数高，且要求小体积，低损耗，高频率应用，采用传统的低频损耗评价方法，已无法满足实际的应用要求。
所有感性器件都是由磁性材料与导线经过相关工艺的二次成形而重新制成的电子元器件，电感性元器件在电子电气产品中应用非常广泛，评价软磁材料本身的损耗特性，及感性器件的综合损耗特性非常重要。
在实际电气设备应用中，由于常规的锰锌铁氧体，镍锌铁氧体饱和电流偏小的特性，不适合于现代电力电子设备中滤波电感的应用，但铁硅铝，铁硅材料的高频特性不佳也是阻碍其面向第三代宽禁带半导体电源滤波大规模应用的难题，如何正确的评价不同材料磁芯满足高频与大电流应用的场景，需要一套专业且可靠的仪器设备来正确评价，IWATSU B-H 分析仪系统就是全球此领域最权威，应用范围最广的高频软磁材料交流特性全参数分析仪。
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WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
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