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特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量
产品描述：针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性，以及操作环境相对恶劣的情况，为用户提供多种方案的测试前端
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随着电网直流高压输变电，电动汽车的快速进步，电能转换领域非常重要的核心器件，SiC MOSFET等大功率半导体器件的正确评估与参数标定成为芯片开发，器件或模块研发，品质检查，第三方认证，失效分析等几乎所有流程的关键问题，几乎都需要对器件的静态耐压，漏电，导通压降，Rds(ON), I-V曲线，饱和导通电流等进行评价。
功率器件静态参数是评价器件性能最关键，也是最基础的流程，输出能够满足宽禁带器件测试的高电压与大电流，是对仪器的刚需，SiCMOSFET通常击穿电压达到数KV，漏电电流为nA甚至pA级；但同时导通电流达到数KA ，导通压降为3V以内，这对于仪器的精度，可靠性，稳定性，安全性都提出了严苛的要求。
力高捷创仪器可以提供集成了最新一代功率半导体参数分析仪的CS-8000的温度变化下的SiC器件的静态参数评价器件级方案与晶圆级方案，该方案可以为前沿半导体研究提供全电压范围，最大测量电压达5KV ；全电流范围，最大测量电流达2000A 级，同时漏电分辨率达到fA级 ，提供新型TOLL、TOLG等封装器件夹具，丰富安全接口和保护装置，确保器件，人员，设备的可靠案例运行。
示例碳化硅器件Datasheet
一、静态参数测量产品
IWATSU CS-8000系列产品
最大测量电压：5000V
最大测量电流: 2000A
最大微电流分辨率：250fA
二、测量参数： IV测量：
CV测量： 晶体管输入电容Ciss 输出电容Coss 反向传输电容Crss 三、具体方案： |
可选配TO-247-4，TOLL、TOLG、TO-263等SiC常见封装的Vamtek高精度测试夹具
更符合SiC器件特性的门极信号，可自定义脉宽与极性
可应用于彻底关断器件测试耐压
还可应用于更准确的测量SiC等器件“本征”Vth阈值电压，避免宽禁带器件阈值电压漂移影响
（调制电压后器件门极重置陷阱状态，彻底清空电荷积累影响）
可集成不同探针台与高低温chuck以满足SiC等器件-55-175℃晶圆级温度测试需求
针对SiC相较SI界面缺陷更多的可靠性测试方案（集成冷热冲击热流仪），或者EMMI方案（集成晶圆级无风温变台用于失效分析）
特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量
产品描述：针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性，以及操作环境相对恶劣的情况，为用户提供多种方案的测试前端
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