氮化镓(GaN)器件(AlGaN/GaN HEMT)的电流崩塌效应测量方法
2026-01-14
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电流崩塌效应是氮化镓(GaN)器件(尤其是AlGaN GaN HEMT)在高压应力下特有的性能退化现象,表现为器件输出电流下降、导通电阻增大,严重影响功率输出和可靠性。
氮化镓(GaN)器件(AlGaN/GaN HEMT)的电流崩塌效应测量方法
2026-01-14
36
电流崩塌效应是氮化镓(GaN)器件(尤其是AlGaN GaN HEMT)在高压应力下特有的性能退化现象,表现为器件输出电流下降、导通电阻增大,严重影响功率输出和可靠性。
软磁金属磁粉心(芯)材料的现状及前景展望
2023-06-06
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软磁金属磁粉心(芯)材料的现状及前景展望按化学成分,软磁材料分为金属软磁材料和铁氧体软磁材料,在铁氧体软磁材料出现以前均是金属及其合金如纯铁、坡莫合金、铁硅合金、铁硅铝合金等金属软磁材料,它们具有高μ、高Bs的特点,但电阻率低(约为...
SiC与GaN电力电子装置中高频软磁材料的研究进展
2026-01-24
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;铁氧体主要应用于开关电源以及电源适配器中的电感、滤波器等元件;非晶纳米晶和软磁复合材料虽然发展较晚,但是有望取代甚至已经部分取代传统软磁材料。不过作为软磁材料体系,都是朝着高频低损耗、高磁导率、高能流密度的方向发展[9, 10],因此...
开尔文四线法、4探针法、范德堡法,陈存礼法测量电阻相关参数的应用区别
2024-11-28
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在测量电阻相关参数中,工程师们可能听过开尔文4线法测量电阻,4探针法测量电阻率还有范德堡法测量与陈存礼法等等。诸多方法眼花缭乱,往往此时工程师们就很难很快的选择出正确的测试方法。
如何在岩崎 CS-3300曲线图示仪AC模式下使用李沙育图进行失效分析
2025-09-28
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岩崎的 CS-3300 曲线图示仪 曲线追踪仪(Curve Tracer)是半导体工程师们常用于半导体分立器件的失效分析、特性曲线分析的综合仪器,今天我们就来聊聊一个半导体失效分析或是快速判定分立器件是否失效及快速概述其电气性能的一个方法。
电子辐照加速器种类,与典型应用(半导体材料与器件辐照条件下电特性异变)
2024-06-13
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电子辐照加速器种类繁多,性能用途各异,就按其能量范围和主要应用,可分为3类: (1)低能(0 1 MeV - 0 3 MeV)加速器:代表类型是电子帘加速器,它是一种高压型加速器,没有加速管和扫描装置,体积小、外型规整、具有自屏蔽功能,结构...