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WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁
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在现代工业中，采用IGBT器件的电压源逆变器应用越来越多，在大功率的变流器应用中，多个IGBT串并联使用，精准的控制各个IGBT运行的死区时间非常重要。为了保证可靠的运行，应当避免桥臂直通。桥臂直通将产生不必要的额外损耗，甚至引起发热失控，结果可能导致器件和整个逆变器被损坏。
IWATSU DM-8000是行内唯一一款支持最多24通道浮地测量的特种示波器系统，特别适合于多路高压信号的浮地测量，系统采用模块化方式，用户可以自由组合通道数目和分布距离，特别适合于高压变频器，电梯变频器，高铁等轨道交通变流器，特高压测量，SVG 特高压装置等非常规测量领域。
WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁
特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量
产品描述：针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性，以及操作环境相对恶劣的情况，为用户提供多种方案的测试前端
SiC/GaN 碳化硅双脉冲动态参数与动态内阻测试
Power Electronic Device 功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，评价IGBT的一项比较重要且被工程师们大量采用的测试—双脉冲测试(Double Pulse Test)
软磁材料及电感器件高频损耗与BH参数分析
如何正确的评价不同材料磁芯满足高频与大电流应用的场景，IWATSU B-H 分析仪系统就是全球此领域最权威，应用范围最广的软磁材料高频交流BH特性测试仪。
功率半导体Datasheet 常温与高温静态参数测量方案
功率器件静态参数的测量，可通过IWATSU CS-3000、IWATSU CS-5000和IWATSU CS-8000半导体曲线特性分析仪实现。支持测量器件的DC IV、Pul
IWATSU-CS3000/5000 系列半导体分析仪 栅极电荷(Qg)测试指南
精准测量功率器件的门极电荷(Qg)对优化开关电源设计和可靠性评估至关重要。本文将系统介绍如何使用 CS 半导体参数分析仪的测试方案完成这一关键测试。
晶圆级微电芯片-晶圆在片参数测试
产品描述：主要应用在半导体 微电子，电子，机电，物理，化学，材料，光电，纳米，微机电 MEMs，生物芯片，航空航天等科学研究领域，以及IC
电动汽车--电池-电驱-电机性能与可靠性测量
测试系统涵盖交流充电桩、直流充电桩（站）、车载充电机（OBC）、DC-DC、电池包、HCU、MCU、电气安规测试等测试内容，适用于电动汽车信号级和功率级测试
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