SiC,GaN器件动态开关性能评价

软磁材料及电感器件高频损耗与BH参数分析

如何正确的评价不同材料磁芯满足高频与大电流应用的场景，IWATSU B-H 分析仪系统就是全球此领域最权威，应用范围最广的软磁材料高频交流BH特性测试仪。

WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价

功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁

功率半导体Datasheet 常温与高温静态参数测量方案

功率器件静态参数的测量，可通过IWATSU CS-3000、IWATSU CS-5000和IWATSU CS-8000半导体曲线特性分析仪实现。支持测量器件的DC IV、Pul

IWATSU-CS3000/5000 系列半导体分析仪 栅极电荷(Qg)测试指南

精准测量功率器件的门极电荷(Qg)对优化开关电源设计和可靠性评估至关重要。本文将系统介绍如何使用 CS 半导体参数分析仪的测试方案完成这一关键测试。

SiC/GaN 碳化硅双脉冲动态参数与动态内阻测试

Power Electronic Device 功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，评价IGBT的一项比较重要且被工程师们大量采用的测试—双脉冲测试(Double Pulse Test)

Vamtek CX-600系列可以完美适配新型低Ls封装的SiC与GaN器件

Vamtek CX-600 系列全开尔文测试座，全覆盖 TOLL、QDPAK、TO-247、TOLG、HU3PAK 等主流 SiC GaN 新型功率封装； 具备行业领先的机械与电气参数性能，搭配 PHS温控单元可实现-55至 200℃高低温测试

KEYSIGHT B1505A/B1506A 测试盒SiC适配TO或TOLL测试座夹具

HSF-K13 & Cx 系列适配Keysight B1505A,B1506A 测试座方案

特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量

产品描述：针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性，以及操作环境相对恶劣的情况，为用户提供多种方案的测试前端